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IRF6646TR1	文件：657.64 Kbytes Page：10 Pages	RoHS compliant containing no lead or bromide Description TheIRF6646combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRF International Rectifier	IRF
IRF6646TR1PBF	文件：655.58 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket	IRF International Rectifier	IRF
IRF6646TRPBF	文件：2.62043 Mbytes Page：6 Pages	Benchmark MOSFETs Product Selection Guide	IRF International Rectifier	IRF
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LMH6646	文件：1.40142 Mbytes Page：28 Pages	2.7V,650關A,55MHz,Rail-to-RailInputandOutputAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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LMH6646MA	文件：637.06 Kbytes Page：19 Pages	2.7V,650關A,55MHz,Rail-to-RailInputandOutputAmplifierswithShutdownOption	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6646MA/NOPB	文件：1.69187 Mbytes Page：36 Pages	LMH664x2.7V,650關A,55MHz,Rail-to-RailInputandOutputAmplifierswithShutdownOption	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
IRF6646T
功能描述：
MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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