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IRF6645	文件：245.96 Kbytes Page：9 Pages	DirectFET Power MOSFET Typical calues (unless otherwise specified) Description The IRF6645 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET™ packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an Micro8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：245.96 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6645	文件：176.64 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：176.64 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF6645	文件：1.08702 Mbytes Page：44 Pages	120 W x 2 Channel Class D Audio Power Amplifier 文件：1.08702 Mbytes 页数：44 Pages	IRF	IRF
IRF6645	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 DirectFET ™ SJ 封装的 100V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6645PBF	文件：226.18 Kbytes Page：9 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6645PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET™ packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an Micro8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing lay 文件：226.18 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6645TRPBF	文件：226.18 Kbytes Page：9 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6645PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET™ packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an Micro8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing lay 文件：226.18 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF66451PBF	文件：239.03 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliant, Halogen-Free 文件：239.03 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6645PBF	文件：239.03 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliant, Halogen-Free 文件：239.03 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6645PBF	文件：239.03 Kbytes Page：9 Pages	Application Specific MOSFETs 文件：239.03 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6645PBF_15	文件：239.03 Kbytes Page：9 Pages	Application Specific MOSFETs 文件：239.03 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF6645TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DirectFET SJ (MG-WDSON-5)
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
35 mΩ
ID @25°C max：
25 A
QG typ @10V：
14 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
3 V
VGS(th) max：
4.9 V
VGS(th)：
3.95 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRF6645供应商更新时间2025-10-4 15:35:00

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