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IRF6619TRPBF	文件：295.96 Kbytes Page：10 Pages	DirectFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6619TRPBF	文件：296.92 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
BX6619	文件：196.47 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
CPH6619	文件：58.7 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelandP-ChannelSiliconMOSFETsGeneral-PurposeSwitchingDevice	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
EN6619B	文件：445.59 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
IRF6619	文件：292.78 Kbytes Page：9 Pages	DirectFETPowerMOSFET Description TheIRF6619combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6619	文件：287.67 Kbytes Page：10 Pages	LowProfile(0.7mm)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6619PBF	文件：296.92 Kbytes Page：10 Pages	IdealforCPUCoreDC-DCConverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6619PBF	文件：295.96 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
LMH6619	文件：2.37257 Mbytes Page：38 Pages	130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMH6619MA	文件：1.1904 Mbytes Page：28 Pages	PowerWise짰130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6619MA/NOPB	文件：2.37257 Mbytes Page：38 Pages	130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMH6619MAE	文件：1.1904 Mbytes Page：28 Pages	PowerWise짰130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6619MAE/NOPB	文件：2.37257 Mbytes Page：38 Pages	130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMH6619MAENOPB	文件：2.37257 Mbytes Page：38 Pages	LMH6618Single/LMH6619Dual130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6619MANOPB	文件：2.37257 Mbytes Page：38 Pages	LMH6618Single/LMH6619Dual130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6619MAX	文件：1.1904 Mbytes Page：28 Pages	PowerWise짰130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6619MAX/NOPB	文件：2.37257 Mbytes Page：38 Pages	130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMH6619MAXNOPB	文件：2.37257 Mbytes Page：38 Pages	LMH6618Single/LMH6619Dual130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6619Q	文件：1.21032 Mbytes Page：30 Pages	130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1

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详细参数

型号：
IRF6619TR
功能描述：
MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRF6619TR供应商更新时间2024-6-23 12:12:00

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