| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRSMD |
6400 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONDirectFET-MZ |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONDirectFET-MZ |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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IRSMD |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONSMD |
4200 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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IRSMD |
6850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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IRDIRECTFET |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRSMD |
100 |
18+ |
原装现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRSMD |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市盈盛科创科技有限公司9年
留言
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IRSMD |
8037 |
22+ |
全新原装正品 现货 优势供应 |
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深圳市瑞浩芯科技有限公司10年
留言
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IRSOIC |
15000 |
21+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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IRQFN |
12800 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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4800 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRSURFACEMOUNTCAN-DIRE |
12000 |
2021+ |
勤思达 只做原装 现货库存 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)DIRECTFET |
11848 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)DirectFET |
11177 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)DIRECTFET |
16116 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IRSMD |
6850 |
22+ |
全新原装现货,欢迎询购!! |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRQFN |
30000 |
23+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRDirectFET-3 |
157 |
1610+ |
原装库存有订单来谈优势 |
IRF66采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF66图片
IRF6648TR1PBF价格
IRF6648TR1PBF价格：￥0.0000品牌：INTERNATIONAL RECTIFIER
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IRF6668TRPBF资讯
IRF6604
新到IRF6604进口原装，优势库存!深圳市骏创达科技有限公司电话：0755-236106202220789222920760企业QQ:28814792039767296961967328632网址：www.jcd168.com地址：深圳市福田区上步工业区501栋4楼412室
IRF6644TRPBF深圳市凌旭科技有限公司
优势现货料号：IRF6644TRPBF 品牌：IR 封装：DirectFET™等容MN Categories：分立半导体产品，晶体管-FET，MOSFET-单 系列：HEXFET® FET类型：N沟道 技术：MOSFET(MetalOxide) 漏源极电压（Vdss）：100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10.3
IRF6668TRPBF 代理品牌
深圳市瑞浩芯科技有限公司联系人：李先生（诚信经营）手机：15989552169电话：0755-23945609/15989552169Email：1106342001@163.comQQ：505781983QQ:1069942313
IRF6668TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6601功能描述:MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF6602功能描述:MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF6602TR1制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF6603功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6603TR1功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6604功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6604TR1功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6607功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6607TR1功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6608功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
