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IRF5851PBF	文件：181.6 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description TheseNandPchannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. Th	IRF International Rectifier	IRF
IRF5851TRPBF	文件：2.22638 Mbytes Page：10 Pages	N-andP-ChannelV(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF5851TRPBF	文件：255.64 Kbytes Page：14 Pages	DualNandPChannelMOSFET Description TheseNandPchannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. Th	IRF International Rectifier	IRF
IRF5851TRPBF-TP	文件：6.56577 Mbytes Page：8 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Application =DC-DCConverters. mLoadSwitch. ®PowerManagement.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
ISO5851	文件：1.75737 Mbytes Page：34 Pages	High-CMTI2.5-A/5-AIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverwithActiveSafetyFeatures	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ISO5851DW	文件：1.75737 Mbytes Page：34 Pages	High-CMTI2.5-A/5-AIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverwithActiveSafetyFeatures	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ISO5851DWR	文件：1.75737 Mbytes Page：34 Pages	High-CMTI2.5-A/5-AIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverwithActiveSafetyFeatures	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
IZ5851V	文件：121.93 Kbytes Page：5 Pages	CMOS4-BITSINGLE-CHIPAPPLICATION-ORIENTEDMICROCOMPUTERWITHLCDDRIVER	INTEGRAL Integral Corp.	INTEGRAL
KK5851	文件：305.06 Kbytes Page：7 Pages	PULSEDIALERWITHREDIAL	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
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详细参数

型号：
IRF5851P
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET Dual N/P-Ch 20V 2.7A/2.2A TSOP6

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