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MIO-5850	文件：4.97408 Mbytes Page：6 Pages	Intel®CeleronJ1900&Atom™E3825/E3845,3.5SBC Features Intel®CeleronJ1900&Atom™E3825/E3845,DDR3L-1333MHz2/4GBon board DirectX11,OpenGL3.2,OpenCL1.2,Dualdisplay:HDMI,VGA,LVDS CPUbottomupdesignforsystemintegrationandruggeddesignforvariable automationfactoryenvironments 3Inteli210GbE,richI/O:4COM,	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
MJE5850	文件：114.2 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHMODESeriesPNPSiliconPowerTransistors TheMJE5850,MJE5851andtheMJE5852transistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperatedswitchmodeapplicationssuchas: •SwitchingRegulators •Inverters •SolenoidandR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJE5850	文件：104.24 Kbytes Page：8 Pages	Switch-modeSeriesPNPSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE5850	文件：302.54 Kbytes Page：8 Pages	8AMPEREPNPSILICONPOWERTRANSISTORS300-350-400VOLTS80WATTS TheMJE5850,MJE5851andtheMJE5852transistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperatedswitchmodeapplicationssuchas: •SwitchingRegulators •Inverters •SolenoidandR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE5850	文件：302.54 Kbytes Page：8 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORS TheMJE5850,MJE5851andtheMJE5852transistorsaredesignedforhigh−voltage,high−speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.TheyareparticularlysuitedforlineoperatedSWITCHMODEapplications. Features •SwitchingRegulators •Inverters •Solenoidan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE5850	文件：104.82 Kbytes Page：8 Pages	8AMPEREPCPSILICONPOWERTRANSISTORS300-350-400VOLTS80WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE5850G	文件：104.82 Kbytes Page：8 Pages	8AMPEREPCPSILICONPOWERTRANSISTORS300-350-400VOLTS80WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE5850G	文件：104.24 Kbytes Page：8 Pages	Switch-modeSeriesPNPSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPQ5850	文件：2.14752 Mbytes Page：29 Pages	36V,SmartDiodeControllerwithReverseProtection,AEC-Q100Qualified DESCRIPTION TheMPQ5850isasmartdiodecontrollerthat candriveanexternalN-channelMOSFETto replaceaSchottkydiodeforreverseinput protection.Thedevice’s20mVultra-lowdropout minimizespowerlossandenablesalow minimuminputvoltage,whichmakesthe MPQ5850well-suitedfor	MPSINDMPS Industries, Inc. 美国芯源	MPSIND
MPQ5850GJ	文件：2.14752 Mbytes Page：29 Pages	36V,SmartDiodeControllerwithReverseProtection,AEC-Q100Qualified DESCRIPTION TheMPQ5850isasmartdiodecontrollerthat candriveanexternalN-channelMOSFETto replaceaSchottkydiodeforreverseinput protection.Thedevice’s20mVultra-lowdropout minimizespowerlossandenablesalow minimuminputvoltage,whichmakesthe MPQ5850well-suitedfor	MPSINDMPS Industries, Inc. 美国芯源	MPSIND

详细参数

型号：
IRF5850
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET Dual P-Channel 20V 2.2A TSOP6

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