选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
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IRTO-263 |
6294 |
10+ |
只做原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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INFINEON/英飞凌TO220 |
8550 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRD2-PAK |
2350 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
24250 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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Infineon(英飞凌)TO-204AA(TO-3) |
7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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INFINEON/英飞凌TO220 |
50 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
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700 |
14+ |
TO-220-3 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
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INFINEON/IRTO-220-3 |
1200 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
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Infineon/英飞凌D2PAK |
27050 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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IRTO263 |
3000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市鼎欣微电子有限公司3年
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QUALCOMM/高通QFN |
12000 |
23+ |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
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IRTO-263-5 |
1600 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市博正芯科技有限公司4年
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INFINEONTO220 |
4000 |
21+ |
INFINEON专卖,进口原装深圳现货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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IRTO-263 |
6000 |
12 |
一般纳税人资质,只做原装正品。 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
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1200 |
1907+ |
20年老字号,原装优势长期供货 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
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INFINEON/IRTO-220-3 |
1200 |
14+ |
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IRF331-I价格
IRF331-I价格:¥25.7706品牌:Semiconductors
生产厂家品牌为Semiconductors的IRF331-I多少钱,想知道IRF331-I价格是多少?参考价:¥25.7706。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF331-I批发价格及采购报价,IRF331-I销售排行榜及行情走势,IRF331-I报价。
IRF3315PBF资讯
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IRF3315PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF330制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 400V 5.5A 2PIN TO-204AA - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET, 400V, 5.5A, TO-204AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: No
IRF330-333制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V
IRF3305功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3305PBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 100nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF330R功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-204AA
IRF331制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation
IRF3314STRL功能描述:MOSFET N-CH 150V D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3314STRR功能描述:MOSFET N-CH 150V D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3315功能描述:MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3315HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB