Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A)

HEXFET® Power MOSFET VDSS = 100V RDS(on) = 0.16Ω ID = 14A

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IRF

HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF

HEXFET® Power MOSFET

Infineon

英飞凌

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

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Motorola

摩托罗拉

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE

Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 14 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.140 Ω

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TRSYS

Transys Electronics

N-CHANNEL POWER MOSFETS

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