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IRF150	文件：210.79 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LOWRDS(on) ●ImprovedInductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolyslllcongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Highcurrent)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF150	文件：125.37 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,40A,60V/100V N-ChannelPowerMOSFET40A,60V/100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF150	文件：150.48 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=100V,Rds(on)=0.055ohm,Id=38A) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRF International Rectifier	IRF
IRF150	文件：57.97 Kbytes Page：7 Pages	40A,100V,0.055Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF150	文件：44.9 Kbytes Page：1 Pages	HIGHVOLTAGEPOWERMOSFETDIE FEATURES: ●Fastswitchingtimes ●LOWRDS(on)HDMOS™process ●Ruggedpolyslllcongatecellstructure ●Excellenthighvoltagestability ●Lowinputcapacitance ●Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS ●Switchingpowersupplies ●Motorcontrols ●AudioAmplifiers ●Inver	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRF150	文件：84.86 Kbytes Page：2 Pages	50Wto500WHIGHPOWERWIREWOUNDRESISTORSFLATSHAPEDALUMINUMHOUSED	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
IRF150	文件：22.09 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF150	文件：136.47 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LOWRDS(on) ●ImprovedInductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolyslllcongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Highcurrent)	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF150	文件：439.67 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies,DCtoDCconverters,motorcontrolcircuits,UPSandgeneralpurposeswitchingapplications. TheNellIRF150isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof42A,fastswitchingsp	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF150	文件：48.2 Kbytes Page：2 Pages	HighPower,HighSpeedApplications DESCRIPTION •DrainCurrentID=40A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.055Ω(Max) •HighPower,HighSpeedApplications APPLICATIONS •Switchingpowersupplies •UPS •Motorcontrols •Highenergypulsecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRC150B
制造商：
Epson Electronics America Inc
功能描述：
INK RIBBON BLK
功能描述：
INK RIBBON, BLK
功能描述：
INK RIBBON, BLK; Printer
Brand：
Epson; Ink
Colour：
Black;
SVHC：
No SVHC(19-Dec-2012) ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市柯尔基电子有限公司	IRC1580	IR	23+24	TO-220	59630	主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管	询价
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