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IR4427PBF	文件：141.91 Kbytes Page：12 Pages	DUAL LOW SIDE DRIVER IO+/-1.5A/1.5A VOUT6V-20V ton/off(typ.)85&65ns Descriptions TheIR4426/IR4427/IR4428(S)isalowvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietarylatchimmuneCMOStechnologiesenab	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR4427PBF	文件：311.21 Kbytes Page：12 Pages	DUAL LOW SIDE DRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR4427PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AN4427	文件：1.13772 Mbytes Page：19 Pages	Gasketdesignforoptimalacousticperformance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
AO4427	文件：997.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitches -NotebookPCs -DesktopPCs	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AO4427	文件：142.48 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4427usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ThedeviceisESDprotected.StandardProductAO4427isPb-free(meetsROHS&	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4427	文件：1.69995 Mbytes Page：4 Pages	30VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO4427usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ThedeviceisESDprotected. ProductSummary VDS(V)=-30V I	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司
AO4427	文件：1.50179 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-12.5A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO4427	文件：174.72 Kbytes Page：4 Pages	30VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4427-HF	文件：1.48065 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-12.5A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO4427L	文件：142.48 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4427usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ThedeviceisESDprotected.StandardProductAO4427isPb-free(meetsROHS&	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AP4427GM	文件：202.9 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement,FastSwitchingCharacteristic BVDSS35V RDS(ON)6.6mΩ ID16A Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSO-8packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurface	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
APM4427K	文件：115.44 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4A, RDS(ON)=85mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBat	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM4427KC-TR	文件：115.44 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4A, RDS(ON)=85mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBat	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM4427KC-TRL	文件：115.44 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4A, RDS(ON)=85mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBat	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM4427KC-TU	文件：115.44 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4A, RDS(ON)=85mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBat	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM4427KC-TUL	文件：115.44 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4A, RDS(ON)=85mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBat	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
AS4427P	文件：56.62 Kbytes Page：4 Pages	1.5ADualHighSpeedMOSFETDrivers	Calogic Calogic
AS4427S	文件：56.62 Kbytes Page：4 Pages	1.5ADualHighSpeedMOSFETDrivers	Calogic Calogic
AUIRS4427S	文件：492.86 Kbytes Page：16 Pages	Matchedpropagationdelayforbothchannels	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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产品属性

产品编号：
IR4427PBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
6V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2.3A，3.3A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
15ns，10ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IR4427PBF供应商更新时间2024-4-27 14:08:00

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