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IR2301	文件：187.91 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description TheIR2301(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2301	文件：195.87 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2301	文件：193.49 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IR2301	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IR2301PbF	文件：187.91 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description TheIR2301(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2301S	文件：187.91 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description TheIR2301(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2301SPbF	文件：187.91 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description TheIR2301(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2301_15	文件：195.87 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2301S	文件：193.49 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IR2301SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IR2301STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
2301	文件：170.48 Kbytes Page：3 Pages	1.5Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz GENERALDESCRIPTION The2301isaCOMMONBASEtransistorcapableofproviding1.5WattsClassC,RFoutputpowerat2300MHz.Goldmetalizationanddiffusedballastingareusedtoprovidehighreliabilityandsupremeruggedness.ThetransistorusesafullyhermeticHighTemperatureSolderSealed	GHZTECHGHz Technology GHz Technology
2301	文件：5.03147 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2301	文件：111.41 Kbytes Page：4 Pages	-2.8A竊?20VP-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
2301	文件：171.02 Kbytes Page：3 Pages	10VP-ChannelEnhancedMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
2301A	文件：194.72 Kbytes Page：3 Pages	9VPchannelenhancedMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
2301-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
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2301-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）

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产品属性

产品编号：
IR2301
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
高压侧或低压侧
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
5V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.9V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
200mA，350mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
130ns，50ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IR2301供应商更新时间2024-4-28 16:30:00

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