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IRFD212	文件：360.56 Kbytes Page：6 Pages	0.6AAND0.45A,150VAND200V,1.5AND2.4OHM,N-CHANNELPOWERMOSFETS TheseareadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switching	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRFF212	文件：871.14 Kbytes Page：2 Pages	RELDEFFECTPOWERTRANSISTOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFR212	文件：320.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU212	文件：344.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRS212	文件：741.29 Kbytes Page：21 Pages	CURRENTSENSINGSINGLECHANNELDRIVER	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRS212PBF	文件：371.37 Kbytes Page：21 Pages	CURRENTSENSINGSINGLECHANNELDRIVER	IRF International Rectifier	IRF
ISLA212P	文件：1.24793 Mbytes Page：35 Pages	12-Bit,250MSPS/200MSPS/130MSPSADC	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISLA212P	文件：1.58988 Mbytes Page：36 Pages	12-Bit,250MSPS/200MSPS/130MSPSADC	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISO212	文件：114.43 Kbytes Page：11 Pages	LowCost,Two-PortIsolated,1500VrmsISOLATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
ISO212JP	文件：114.43 Kbytes Page：11 Pages	LowCost,Two-PortIsolated,1500VrmsISOLATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
ISO212KP	文件：114.43 Kbytes Page：11 Pages	LowCost,Two-PortIsolated,1500VrmsISOLATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
J212	文件：100.07 Kbytes Page：12 Pages	N-channelfield-effecttransistors •Highspeedswitching •Interchangeabilityofdrainandsourceconnections •Highimpedance. N-channelsymmetricaljunctionfield-effecttransistorinaTO-92(SOT54)package.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
J212	文件：199.31 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelRFAmplifier N-ChannelRFAmplifier ThisdeviceisdesignedforHF/VHFmixer/amplifierandapplicationswhereProcess50isnotadequate.Sufficientgainandlownoiseforsensitivereceivers.SourcedfromProcess90.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
J212	文件：22.85 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelJFET DESCRIPTION TheJ210SeriesisanN-ChannelJFETsingledeviceencapsulatedinaTO-92plasticpackagewellsuitedforautomatedassembly.Thedevicefeatureslowleakage,typicallyunder2pA,lownoise,under10nanovoltspersquarehertzat10hertzandhighgain.Thisseriesisexcellentfor	Calogic Calogic, LLC	Calogic
J212	文件：15.3 Kbytes Page：1 Pages	LOWNOISEN-CHANNELJ-FETGENERALPURPOSEAMPLIFIER	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
J212	文件：213.66 Kbytes Page：4 Pages	PLASTIC-CASEJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORS N-ChannelJFETs	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
J212	文件：97.84 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistor N-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistor •AudioAmplifier •GeneralPurposeAmplifier	InterFET InterFET Corporation	InterFET
J212	文件：144.55 Kbytes Page：1 Pages	GENERALPURPOSEAMPS GENERALPURPOSEAMPS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
J212	文件：276.78 Kbytes Page：1 Pages	LinearSystemsreplacesdiscontinuedSiliconixJ212	MICROSS Micross Components	MICROSS
J212	文件：182.22 Kbytes Page：1 Pages	LOWNOISEN-CHANNELJFETGENERALPURPOSEAMPLIFIER	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR

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更多IR212M供应商更新时间2024-9-27 11:04:00

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