IR2106S中文资料600 V high-side and low-side gate driver IC数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
IR2106S |
参数属性 | IR2106S 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为散装;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
功能描述 | 600 V high-side and low-side gate driver IC |
封装外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 13:10:00 |
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IR2106S规格书详情
描述 Description
600 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流,采用 8 引脚 SOIC 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 PDIP、14 引脚 SOIC 和 14 引脚 PDIP 封装可选。
特性 Features
• 专为自举操作设计的浮动通道
• 完全运行时的电压高达 600V
• 容许负瞬态电压高
• 不受 dV/dt 影响
• 栅极驱动供电电压范围:10 至 20V
• 欠压锁定
• 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容
• 双通道的匹配传播延迟
• 逻辑和电源接地 + /- 5 V 偏移
• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
• 输出与输入同相
优势:
简介
IR2106S属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的IR2106S栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 制造商编号
:IR2106S
- 生产厂家
:Infineon
- Product Status
:active/active
- Voltage Class
:600 V
- Output Current Source min
:0.12 A
- Output Current Source
:0.2 A
- Output Current Sink min
:0.25 A
- Output Current Sink
:0.35 A
- Channels
:2
- Configuration
:High-side and low-side
- Qualification
:Industrial
- Isolation Type
:Functional levelshift
- Switch Type
:IGBT/MOSFET
- Package name
:SOIC 8N/SOIC 8N
- UVLO Input Off
:8.2 V
- UVLO Output Off
:8.2 V
- Turn On Propagation Delay max
:300 ns
- Turn On Propagation Delay
:220 ns
- Turn Off Propagation Delay max
:280 ns
- Turn Off Propagation Delay
:200 ns
- Input Vcc min
:10 V
- Input Vcc max
:20 V
- Output Vbs min
:10 V
- Output Vbs max
:20 V
- Rise Time max
:220 ns
- Rise Time
:150 ns
- Fall Time max
:80 ns
- Fall Time
:50 ns
- UVLO Input On
:8.9 V
- UVLO Output On
:8.9 V
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