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IR11662STRPBF

ADVANCED SMART RECTIFIER TM CONTROL IC

Description IR11662 is a smart secondary-side driver IC designed to drive N-Channel power MOSFETs used as synchronous rectifiers in isolated Flyback and resonant half-bridge converters. The IC can control one or more paralleled N MOSFETs to emulate the behavior of Schottky diode rectifiers. The

文件:379.41 Kbytes 页数:25 Pages

IRF

IR11662STRPBF

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon

英飞凌

MAX11662

500ksps, Low-Power, Serial 12-/10-/8-Bit ADCs

文件:2.23562 Mbytes 页数:28 Pages

Maxim

美信

MAX11662

500ksps, Low-Power,Serial 12-/10-/8-Bit ADCs

文件:2.24541 Mbytes 页数:28 Pages

Maxim

美信

MAX11662AUB

500ksps, Low-Power, Serial 12-/10-/8-Bit ADCs Low-Noise 73dB SNR

文件:2.22166 Mbytes 页数:28 Pages

Maxim

美信

产品属性

  • 产品编号:

    IR11662STRPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 系列:

    Advanced Smart Rectifier™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    11.4V ~ 18V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    2V,2.15V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1A,4A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    21ns,10ns

  • 工作温度:

    -25°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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更多IR11662STRPBF供应商 更新时间2025-11-19 14:02:00