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IRFD024	文件：172.17 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.10ohm,Id=2.5A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFD024	文件：1.13847 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD024	文件：1.27397 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD024	文件：421.42 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •ForAutomaticinsertion •Endstackable •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdge	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD024PBF	文件：651.6 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFD024PBF	文件：1.13847 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFD024PBF	文件：421.43 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFE024	文件：23.14 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE024	文件：229.13 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFET?쏷RANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignerstheextraflexibilitytheyneedtoincreasecircuitboarddensity.InternationalRe	IRF International Rectifier	IRF

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