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IPW65R080CFD	文件：1.49272 Mbytes Page：12 Pages	Marking：65F6080；Package：PG-TO247；650V CoolMOS CFD Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS™CFDseriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW65R080CFD	文件：335.92 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤80mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW65R080CFD	文件：1.11459 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW65R080CFDA	文件：1.11609 Mbytes Page：14 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS™CFDseriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW65R080CFD_11	文件：1.11459 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
65R080CFD	文件：1.49272 Mbytes Page：12 Pages	650VCoolMOSCFDPowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS™CFDseriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IIPW65R080CFD	文件：335.92 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤80mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TPV65R080C	文件：692.36 Kbytes Page：8 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司	WUMC
TPW65R080C	文件：692.36 Kbytes Page：8 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司	WUMC

详细参数

型号：
IPW65R080CFD
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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