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PCP1208	文件：379.7 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor Features •VCEO=200V,IC=0.7A •Highallowablepowerdissipation •Halogenfreecompliance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltageVCE(sat)=0.115V(typ.)@IC=0.35A •High-speedswitchingtf=70ns(typ.)@IC=0.3A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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PCP1208

文件：379.7 Kbytes

Page：7 Pages

BipolarTransistor

Features •VCEO=200V,IC=0.7A •Highallowablepowerdissipation •Halogenfreecompliance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltageVCE(sat)=0.115V(typ.)@IC=0.35A •High-speedswitchingtf=70ns(typ.)@IC=0.3A

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

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详细参数

型号：
IPT1208-BEA
制造商：
IPS
制造商全称：
IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
功能描述：
High current density due to double mesa technology

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IPT1208-BEA供应商更新时间2025-7-20 11:01:00

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