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IPS521S	文件：188.18 Kbytes Page：11 Pages	FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH Description TheIPS521/IPS521Sarefullyprotectedfiveterminalhighsideswitcheswithbuiltinshort-circuit,overtemperature,ESDprotection,inductiveloadcapabilityanddiagnosticfeedback.TheoutputcurrentiscontrolledwhenitreachesIlimvalue.Thecurrentlimitationisactivatedun	IRF International Rectifier	IRF
IPS521S	文件：198.77 Kbytes Page：12 Pages	FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH	IRF International Rectifier	IRF
IRF521	文件：74.44 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSPOWERFETs N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSPOWERFETs Applications □Motorcontrol □Converters □Amplifiers □Switches □Powersupplycircuits □Drivers(Relays,Hammers,Solenoides,Lamps,Memeories,Displays,BipolarTransistors,etc.)	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
IRF521	文件：166.67 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF521	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF521	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	IRF120-123/IRF520-523MTP10N08/10N10N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF521	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF521	文件：45.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF521	文件：338.75 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets,	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF521FI	文件：181.76 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS ■TYPICALRDS(on)=0.23Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
IPS521S
功能描述：
IC MOSFET HS PWR SW 5A D2PAK
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关
系列：
-
标准包装：
1,000
类型：
高端/低端驱动器
输入类型：
SPI
输出数：
8
导通状态电阻：
850 毫欧，1.6 欧姆电流 -
输出/通道：
205mA，410mA 电流 -
峰值输出：
500mA，1A
电源电压：
9 V ~ 16 V
工作温度：
-40°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
20-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
供应商设备封装：
PG-DSO-20-45
包装：
带卷(TR)

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