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IPP60R280P6	文件：3.09063 Mbytes Page：19 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •IncreasedMOSFETdv/dtruggedness •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss •Veryhi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP60R280P6	文件：338.56 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.28Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustde	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP60R280P6	文件：3.09063 Mbytes Page：19 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP60R280P6_15	文件：3.09063 Mbytes Page：19 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW60R280P6	文件：3.09063 Mbytes Page：19 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •IncreasedMOSFETdv/dtruggedness •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss •Veryhi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW60R280P6	文件：2.62743 Mbytes Page：19 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW60R280P6	文件：335.74 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤280mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPX60R280P6	文件：3.09063 Mbytes Page：19 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •IncreasedMOSFETdv/dtruggedness •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss •Veryhi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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