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IPP120N04S401AKSA1_INFINEON/英飞凌_MOSFET - Rail/Tube博通航睿技术
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
：IPP120N04S401AKSA1
- 生产厂家
：英飞凌
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：40V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：1.9 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：4V @ 140µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：176nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：14000pF @ 25V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：188W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：通孔
- 供应商器件封装
：PG-TO220-3-1
- 封装/外壳
：TO-220-3
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