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IPB070N06LG	文件：445.11 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB070N06NG	文件：446.14 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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NVLJWS070N06CL	文件：160.29 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel60V,62m,11A Features •SmallFootprintforCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVLJWS070N06CLTAG	文件：160.29 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel60V,62m,11A Features •SmallFootprintforCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
IPI070N06NG
功能描述：
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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