IPD80R2K4P7

效率和散热性能的新基准; • 同类中较为出色的 FOM R DS(on) * E oss; 降低 Qg, C iss 和 C oss\n• 同类中较为出色的 DPAK R DS（on） 280mΩ\n• 同类中较为出色的 V (GS)th，3V，和最小 V (Gs)th 变动 ± 0.5V\n• 集成齐纳二极管 ESD 保护，最高可达 2 级（HBM）\n• 出色的质量和可靠性\n• 完全优化的组合\n\n优势:\n• 比之CoolMOS C3，此系列可提供0.1%至0.6%的效率增益，MOSFET温度降低2°C至8°C。\n• 支持更高的功率密度设计、节省BOM和降低装配成本\n• 易于驱动和设计\n• 通过减少ESD相关故障，提高产量\n• 减少生产问题，减少外部退货\n• 易于选择合适的零件来优化设计\n;

800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足性能，易用性和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式应用，包括适配器和充电器，LED驱动器，音频SMPS，辅助和工业电源。\n 与其前代产品相比，这一新产品系列可提供高达0.6％的效率增益；与典型反激式应用中测试的其他竞争对手产品想相比，MOSFET温度降低2°C至8°C。它还通过降低开关损耗和改善DPAK R DS（on）产品，实现更高功率密度的设计。总而言之，这有助于客户节省物料成本，减少组装工作量。\n

IPD80R2K4P7

丝印：80R2K4P7；Package：PG-TO252-3；800V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

IPN80R2K4P7

800VCoolMOS짧P7PowerTransistor

IPS80R2K4P7

800VCoolMOS짧P7PowerTransistor

IPU80R2K4P7

800VCoolMOS짧P7PowerTransistor