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IPI65R600C6	文件：2.09837 Mbytes Page：19 Pages	650VCoolMOSC6PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easyto	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI65R600C6	文件：330.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice p	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP65R600C6	文件：338.06 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice p	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP65R600C6	文件：2.09837 Mbytes Page：19 Pages	650VCoolMOSC6PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easyto	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP65R600C6	文件：372.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPX65R600C6	文件：2.09837 Mbytes Page：19 Pages	650VCoolMOSC6PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easyto	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IPD65R600C6XT
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市安富世纪电子有限公司	IPD65R600C6XT	INFINEON	23+		8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
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深圳美顺电子科技有限公司	IPD65R600E6	INFINEON	1524CN	TO-252	2215	原厂直销	询价
深圳市恒创达实业有限公司	IPD65R600E6	INFINEON	17+	TO-252	6200	100%原装正品现货	询价
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更多IPD65R600C6XT供应商更新时间2025-7-22 15:01:00

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