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IPD60R1K4C6中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
IPD60R1K4C6规格书详情
• DESCRITION
• Fast switching
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤1.4Ω
• Enhancement mode:
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
产品属性
- 型号：
IPD60R1K4C6
- 功能描述：
MOSFET N-CH 650V 3.2A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
21+ |
TO-252 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO252-3 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
INFINEON |
19+ |
TO252 |
83 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-252 |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
TO-252 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
INFINEON |
2430+ |
TO252 |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-252 |
17708 |
原装进口假一罚十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
TO-252 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
NA |
1400 |
原装正品支持实单 |
询价 |
