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IPD33CN10N

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IPD33CN10NG

N-channel, normal level

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPD33CN10NG

OptiMOS짰2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

33CN10N

N-channel,normallevel

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IIPD33CN10N

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IPU33CN10NG

OptiMOS짰2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

  • 型号:

    IPD33CN10N

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 27A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
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更多IPD33CN10N供应商 更新时间2024-6-9 22:59:00