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IPD30N03S2L	文件：321.15 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD30N03S2L-07	文件：157.46 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD30N03S2L-10	文件：157.54 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD30N03S2L-10	文件：1.89539 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IPD30N03S2L-20	文件：157.77 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD30N03S4L-09	文件：140.52 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD30N03S4L-09	文件：168.66 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD30N03S4L-09_10	文件：140.52 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD30N03S4L-14	文件：190.51 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
30N03	文件：1.01839 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
30N03A	文件：931.83 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPower Features VDS=30V,ID=90A RDS(ON),3.9mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),6.5mΩ(Typ)@VGS=4.5V Lowonresistance Lowgatecharge Fastswitching Lowreversetransfercapacitances	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台友台半导体	UMW
30N03B	文件：235.42 Kbytes Page：5 Pages	30A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
A30N03A	文件：1.0152 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CJU30N03	文件：4.48156 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
HM30N03K	文件：515.33 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
KI30N03DFN	文件：571.58 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
LMAK30N03	文件：937.64 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LMQ30N03A	文件：522.799 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MCG30N03	文件：731.76 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
ME30N03	文件：1.01603 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
IPD30N03
功能描述：
MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 6.7mOhm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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