丝印：068P03L；Package：TO-252；-30V P-Channel MOSFET

Features • Qualified according JEDEC1) for target • 175 °C operating temperature • 100 Avalanche tested • Pb-free; RoHS compliant, halogen free • applications: power management

文件：649.75 Kbytes 页数：8 Pages

UMW

友台半导体

丝印：068P03L；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features © Vos =30V.5 =B0A @ Reso =8ma@Ves=-10v © Ro 11mO@Vos=45V.

文件：2.77524 Mbytes 页数：5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

P-Channel MOSFET Transistor

文件：340.53 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

single P-Channel in DPAK

文件：563.3 Kbytes 页数：9 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOSTM P3 Power-Transistor

文件：314.36 Kbytes 页数：9 Pages

Infineon

英飞凌

single P-Channel in DPAK

文件：563.3 Kbytes 页数：9 Pages

Infineon

英飞凌

P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-30 V，D-PAK

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;

Infineon

英飞凌