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IIPD053N08N3	文件：336.44 Kbytes Page：2 Pages	Highfrequencyswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD053N08N3	文件：336.44 Kbytes Page：2 Pages	Highfrequencyswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD053N08N3G	文件：351.65 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰3Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD053N08N3G	文件：196.24 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS3Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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