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IPB79CN10N	文件：1.03396 Mbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPB79CN10N-G	文件：1.03396 Mbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB79CN10NG	文件：189.47 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IPB79CN10N
功能描述：
MOSFET N-CH 100 V 79 Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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