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IPB70P04P4-09	文件：300 bytes Page：1 Pages	-40V、P 沟道、最大 9.1mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -P2 • P沟道逻辑电平增强模式\n• 符合汽车 AEC Q101 标准\n• MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n• 工作温度为 175°C\n• 绿色封装（无铅）\n• 100% Avalanche 测试\n• 支持 PPAP 的设备;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB70P04P4-09	文件：224.61 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor 文件：224.61 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

IDpulsmax：
-280 A
Ptotmax：
75 W
QG(typ @10V) max：
54 nC
RDS (on)(@10V) max：
9.1 mΩ
RthJCmax：
2 K/W
VDSmax：
-40 V
VGS(th)max：
-4 V
VGS(th)min：
-2 V
Package：
D2PAK (PG-TO263-3)
Operating Temperature：
-55 °C to 175 °C
Technology：
OptiMOS™-P2
Polarity：
P
Qualification：
Automotive
Budgetary Price €/1k：
0.87

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更多IPB70P04P4供应商更新时间2025-11-18 14:01:00

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