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IPB65R190C6	文件：2.21772 Mbytes Page：19 Pages	650V CoolMOS C6 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPB65R190C6	文件：2.21772 Mbytes Page：19 Pages	Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPB65R190C6	文件：189.26 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IIPP65R190C6	文件：338.41 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IIPW65R190C6	文件：335.9 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPA65R190C6	文件：261.019 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPA65R190C6	文件：2.21772 Mbytes Page：19 Pages	ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPA65R190C6	文件：2.21772 Mbytes Page：19 Pages	650VCoolMOSC6PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPI65R190C6	文件：2.21772 Mbytes Page：19 Pages	650VCoolMOSC6PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPI65R190C6	文件：330.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.19Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPI65R190C6	文件：2.21772 Mbytes Page：19 Pages	ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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详细参数

型号：
IPB65R190C6
功能描述：
MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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