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IPB180N03S4L-H0中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

IPB180N03S4L-H0
厂商型号

IPB180N03S4L-H0

功能描述

OptiMOS-T2 Power-Transistor

文件大小

172.11 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 20:00:00

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产品属性

  • 型号:

    IPB180N03S4L-H0

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 30V MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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NA/
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