| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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INFINEONTO263 |
76 |
22+ |
只做原装 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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INFINEONTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌PG-TO263-3 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK(TO-263) |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
3698 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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INFINEONTO263 |
1000 |
0247+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEONTO263 |
1000 |
21+ |
原装现货 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
275000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO263 |
57550 |
2022+ |
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深圳市福安瓯科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
11220 |
23+ |
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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Infineon/Infineon TechnologiesTO263 |
1000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONTO263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO263 |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
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深圳市轩祺电子有限公司2年
留言
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INFINEONTO263 |
10000 |
22+ |
只做原装，可配单 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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InfineoTO-263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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INFINEONTO-263 |
838 |
325+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INFINEONTO-263 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
IPB14N03L采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IPB14N03L图片
IPB14N03LAG中文资料Alldatasheet PDF
更多IPB14N03LA功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB14N03LA G功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB14N03LAG功能描述:MOSFET N-CH 25 V 30 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB14N03LAGXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB14N03LANT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
IPB14N03LAT功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
