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IPB08CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Infineon

英飞凌

IPB08CNE8NG

OptiMOS짰2 Power-Transistor

文件:462.5 Kbytes 页数:11 Pages

Infineon

英飞凌

IPI08CNE8NG

OptiMOS짰2 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPP08CNE8N

OptiMOS짰2 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPP08CNE8NG

OptiMOS짰2 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IPB08CNE8

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 95A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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D2PAK(TO-263)
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TO-263
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全现原装公司现货
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TO-263
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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24+
TO-263
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
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INFINEON/英飞凌
23+
D2PAK(TO-263)
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更多IPB08CNE8供应商 更新时间2025-11-10 16:30:00