OptiMOS?? Power-Transistor

Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr

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Infineon

英飞凌

丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor

• FEATURES • With TO-263(D2PAK) packaging • Ultra-fast body diode • High speed switching • Very low on-resistence • Easy to use • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz • APPLICATIONS • Switching applications

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ISC

无锡固电

OptiMOS?? Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

OptiMOS?? Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

N 沟道功率 MOSFET

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。 • 优异的开关性能\n• 世界较低的 (R Ds(on))\n• 极低的 Qg 和 Qgd\n• 出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）\n• 符合 RoHS 标准 - 无卤素\n• MSL1 评级 2\n\n优势:\n• 环保\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计;

Infineon

英飞凌

包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：TRENCH \u003e=100V

Infineon

英飞凌