PCIM Asia 2025前瞻：碳化硅（SiC）领跑全球功率半导体创新热潮
2025年第二季度，伴随纯电动车（BEV）市场的持续增长，全球电动车牵引逆变器出货量达到766万台，同比增长19%。在逆变器所用的功率半导体结构中，碳化硅（SiC）器件的渗透率提升至17%，除了继续在纯电动车中普及，还开始扩展到插电混动（PHEV）及增程式（REEV）等领域，这部分装机合计占比近19%，实现了在中国本土品牌的快速布局。
除了汽车领域，AI数据中心的建设也带动了SiC器件的新一轮增长。AI服务器单柜功率突破数百千瓦，对电源系统效率与密度提出了更高要求。SiC MOSFET凭借1200V以上高耐压和低损耗优势，已成为AI服务器电源侧AC-DC变换的核心。调研机构Omdia预计，2024年全球功率半导体市场规模已达757亿美元，2025年有望增长至815亿美元，其中中国市场规模预计达到381亿美元。
PCIM Asia 2025展会亮点：厂商争相推出SiC创新方案
9月24-26日举办的PCIM Asia 2025上，安森美、英飞凌、东芝、扬杰科技等头部企业，密集展示了最新碳化硅器件与配套系统解决方案。
英飞凌：CoolSiC MOSFET新品聚焦车载、光伏和AI应用
英飞凌本次展出CoolSiC™ MOSFET 2025年度全新产品线，包括G2 1200V、1400V以及G2 750V多种封装方案。其中，1200V单管采用Q-DPAK顶部散热封装，实现更优的散热和系统集成度；1400V新品针对1000V以上母线电压场景，具备行业领先的6mΩ超低导通电阻。750V芯片则覆盖车规和工规两大线路，Q-DPAK封装下导通内阻低至4mΩ，提升系统抗干扰能力、兼容高温工作环境。
值得关注的是，英飞凌全新800V SiC主驱逆变器方案采用1200V SiC MOSFET，为电动车驱动系统提供高达750A电流输出，且持续结温可达200°C。嵌入式碳化硅方案也首次亮相，该方案通过将英飞凌G2p系列SiC集成于PCB，可大幅降低杂散电感，将高压纹波从数百伏降低至30-50V，进一步释放1200V器件在高压应用中的潜力。
安森美：AI数据中心与高性能驱动并举
安森美展出一系列面向AI数据中心的高性能电源Demo，包括12kW AI云计算电源单元、3kW图腾柱PFC与车载主驱逆变器方案。其12kW PSU采用新一代M3S MOSFET与SiC JFET，具备高开关频率和卓越流片散热能力，专为AI场景设计。主驱逆变器模块M3e EliteSiC支持2.1mΩ极低导通电阻，配套模块支持低至4nH的杂散电感，通过螺丝/压接等灵活安装，满足高密度集成需求。其隔离式栅极驱动同样面向车规级高可靠应用，最高峰值电流达15A，支持ISO 26262功能安全标准。
东芝联合基本半导体，共推车载碳化硅模块
两家公司本次展会上联合发布了多款针对新能源汽车市场的碳化硅模块。东芝新款内嵌SiC芯片模块采用六并联设计，实现1200V/650A高规格，兼备低导通电阻和优良散热性能，助力客户缩短逆变器系统的开发周期。此外，碳化硅SSC半桥模块则进一步追求模块小型化和易用性，单模块尺寸69×49.2×22mm。
趋势总结：嵌入式与高集成成新标配，SiC行业步入“铜时代”
随着产业竞争加剧，SiC器件及封装材料正在迎来从铝基板向铜基板升级。以主要厂商为例，其Easy 2C、Easy HD、HybridPACK™ HD等多款新一代产品已全线采用铜基板与铜线制程，持久结温提升至175°C，相比上一代降低热阻达12%。此外，系统级“嵌入式+超薄”电源方案不断落地，模块高度和整体体积缩小至传统结构的三分之一内，预示着“机电一体化”新形态加速成型。
目前，PCIM Asia 2025已成为全球碳化硅产业链创新的窗口，头部企业抢滩发布新品，SiC未来的效率、可靠性和集成度，正不断刷新行业新高。
