2025年第二季度，全球电动车逆变器市场持续扩张。
TrendForce数据显示，得益于纯电动车（BEV）销售上涨，全球牵引逆变器出货量达766万台，同比增长19%。其中，碳化硅（SiC）逆变器渗透率提升至17%，其应用已从BEV主流扩展到插混（PHEV）、增程式（REEV）车型，两者的合计装机占比接近19%，且全部为中国本土车企贡献。
AI数据中心亦拉动SiC需求。
随着AI服务器单机柜功率突破数百千瓦，对电源的效率和功率密度要求越来越高。SiC MOSFET凭借1200V以上耐压和低损耗特点，成为数据中心PSU前端AC-DC变换的核心。在Omdia的数据中，预计2024年全球功率半导体市场规模达757亿美元，2025年将增至815亿美元，中国作为最大消费国市场规模有望达381亿美元。
PCIM Asia 2025亮相，多家厂商展示SiC新品
9月24-26日，PCIM Asia 2025在上海新国际博览中心举行，安森美、英飞凌、东芝及扬杰科技均展出碳化硅创新技术和应用方案。
【英飞凌】
英飞凌在展会上带来新一代CoolSiC™ MOSFET G2（1200V/1400V多封装），其中1200V产品采用Q-DPAK顶部散热，提升热性能与功率密度。1400V新品专为1000V以上母线电压优化，最低导通电阻降至6mΩ。此外，CoolSiC™ MOSFET G2 750V车型Q-DPAK封装产品导通内阻低至4mΩ，支持单级驱动及最高200℃节温过载。
值得注意的是，英飞凌还展出其嵌入式碳化硅模块，G2p系列SiC嵌入PCB设计，有效降低杂散电感、系统电压纹波由数百伏降至30-50V区间，为1200V器件大规模应用铺路。
【安森美】
安森美展示了面向AI数据中心的12kW云计算PSU Demo，该产品集成M3S MOSFET与SiC JFET，实现更高开关频率和出色热管理。其3kW图腾柱PSU SiC产品支持85-230Vac输入，输出48Vdc，结构紧凑，采用NCP1681图腾柱PFC，提升散热效率。在主驱逆变器方面，M3e EliteSiC™模块实现2.1mΩ极低Rsp、4nH以下杂散电感，配套NCV51755隔离驱动器，满足ISO-26262 ASIL-D安全等级。
【东芝&基本半导体】
两家公司携手推出多款以车载应用为目标的高性能SiC功率器件。东芝HPD模块采用六并联设计，1200V/650A规格，强调低导通阻抗及优异散热性能，加快客户评估与开发。SSC塑封模块内置4并联SiC芯片，尺寸仅69×49.2×22mm，为逆变器小型化助力。
行业趋势观察
今年PCIM Asia SiC新品频发，产业链正集体推进效率、功率密度与成本革新。大厂如英飞凌、安森美的新一代器件普遍采用铜基板与铜线升级散热封装，持续降低热阻，提高工作结温。系统级则以“嵌入式+超薄”方案为主流，推动IPM和PCB技术创新，实现更紧凑结构和更高集成度。SiC正加速引领“机电一体化”变革，将逆变器硬件厚度与体积压缩到30%以下。
