爱发科集团推出三款先进半导体核心设备，助力行业技术突破
2025年3月27日，Semicon China 2025上海展会上，全球领先的真空设备制造商爱发科集团正式发布三款面向先进半导体制造领域的核心设备：多腔室薄膜沉积系统ENTRON-EXX、针对12英寸晶圆的集群式先进电子制造系统uGmni-300以及离子注入系统SOPHI-200-H。新品以“灵活高效、智能协同”为核心理念，覆盖晶圆制造、化合物半导体及封装等关键领域，为客户提供突破性解决方案，加速技术升级和产能提升。
多腔室薄膜沉积系统：ENTRON-EXX——产能突破的灵活智造平台
ENTRON-EXX通过“灵活布局”、“高效生产”和“智能运维”三大创新特性重新定义了薄膜沉积工艺，广泛适用于逻辑芯片、存储器（DRAM、NAND、新型非易失存储器）、封装等尖端领域。
核心创新点：
灵活模块化设计： 采用即插即用的模块平台，大幅提升操作便捷性，实现模块替换时间减少50%。系统最多支持12个模块配置（包含8个工艺模块、2个Degas模块、1个冷却模块及1个对准模块），满足客户多样化需求。
卓越生产力表现： 相比上一代产品，单平台占地面积减少10%，组合平台减少5%，提高洁净室空间的利用率。
智能数据赋能： 数据采集效率提升至原机型的10倍，增加传感器数量以采集更精准的实时运行数据，助力设备高效维护。
集群式先进电子制造系统：uGmni-300——12英寸晶圆一站式解决方案
uGmni-300专为12英寸（300mm）晶圆设计，以“统一传输核心”为技术核心，实现溅射、刻蚀、去胶及CVD等多种工艺的高效整合。
核心优势：
全工艺兼容： 可灵活组合溅射、PE-CVD等工艺模块，适配先进封装、MEMS及光电器件制造需求。
支持多尺寸基板： 除12寸晶圆外，uGmni系列还推出适用于8寸晶圆的uGmni-200，满足不同制造需求。
智能协同管理： 简化备件库存，通过标准化组件设计提升运行效率，并灵活支持多形状、多边的设备对接方案。
离子注入系统：SOPHI-200-H——突破束流极限的高效精密制造平台
专为功率器件、MEMS及特殊材料设计的高性能离子注入设备，SOPHI-200-H在高精度与高效率方面实现了行业新突破。
技术特点：
束流强度倍增： 工作稳定性覆盖nA至mA量级，束流平行度控制精准度达到0.1度，为复杂工艺提供一致性支持。
多样基板兼容： 可处理50μm至2000μm厚度的基板，兼容玻璃基板及TAIKO基板，拓宽应用领域。
生产效率升级： 高效从低能到高能全工艺覆盖，减少设备切换成本，为制造流程带来显著优化。
技术创新与市场价值
爱发科此次发布的三款设备通过灵活模块化和智能协同设计，有效解决了“小批量、多品类”柔性制造需求，同时助力碳化硅、氮化镓等化合物半导体及先进封装领域技术突破。新品广泛覆盖从研发到量产的全周期需求，为全球客户加速探索“智造未来”提供了针对此领域的完整解决方案。
爱发科中国市场总监王禹表示：“我们始终秉承客户至上的原则，在设备改进和创新探索中，致力于为客户提供高品质解决方案。未来，我们将协同行业伙伴，推动半导体设备的技术迭代，与来自新能源、人工智能等领域的前沿技术深度融合，共同迈向行业新时代。”
