制造商: STMicroelectronics

产品种类: 碳化硅MOSFET

RoHS: 详细信息

商标: STMicroelectronics

通道模式: Enhancement

合规: Done

配置: Single

下降时间: 14 ns

Id-连续漏极电流: 60 A

最大工作温度: + 200 C

最小工作温度: - 55 C

安装风格: Through Hole

通道数量: 1 Channel

封装 / 箱体: HiP-247-4

封装: Tube

Pd-功率耗散: 388 W

产品类型: SiC MOSFETS

Qg-栅极电荷: 94 nC

Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms

上升时间: 15 ns

600

子类别: Transistors

技术: SiC

晶体管极性: N-Channel

典型关闭延迟时间: 32 ns

典型接通延迟时间: 16 ns

Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

单位重量: 6.080 g