制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 680 mA

Rds On-漏源导通电阻: 450 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 650 mV

Qg-栅极电荷: 2.3 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 350 mW

通道模式: Enhancement

系列: FDV303N

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 8.5 ns

正向跨导 - 最小值: 1.45 S

高度: 1.2 mm

长度: 2.9 mm

产品: MOSFET Small Signals

产品类型: MOSFET

上升时间: 8.5 ns

3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 17 ns

典型接通延迟时间: 3 ns

宽度: 1.3 mm

零件号别名: FDV303N_NL

单位重量: 8 mg