专为晶圆级IGBT/功率MOSFET（GaN、SiC、Si）器件测量而设计的新型TESLA200晶圆上功率半导体探测系统可提供高达3 kV（三轴）/10 kV（同轴）和200 A（标准）/600 A（高电流）的准确数据。凭借下一代测试能力、防电弧解决方案、晶圆自动化以及对工程探针和T.I.P.S.“LuPo”高压/高功率探针卡的支持，TESLA200现在能够通过全自动薄化/翘曲/TAIKO晶圆加载实现完整的热测试（-55°C至300°C）。一个系统涵盖了从研发到利基生产的所有晶圆上高功率测试需求。
新型TESLA200有半自动和全自动两种型号，可扩展且可现场升级，可满足任何预算要求。该系统是尽可能快地收集单个或体积晶片上高精度测量数据的理想选择，可用于研发、器件表征/建模
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