制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 72 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6000 pF @ 37.5 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 142W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
器件封装 8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳 8-PowerVDFN
