一般信息

数据列表 IPx65R110CFD;_

标准包装 50

包装 管件

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列 CoolMOS?

其它名称 IPP65R110CFD

IPP65R110CFD-ND

SP000895226

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 700V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 31.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 110 毫欧 @ 12.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 1.3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 118nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3240pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 277.8W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 PG-TO220-3

封装/外壳 TO-220-3