标准包装 2，500
包装 标准卷带
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?
其它名称 IPD90P03P4L-04
IPD90P03P4L-04-ND
IPD90P03P4L-04INTR
IPD90P03P4L-04INTR-ND
IPD90P03P4L04
IPD90P03P4L04ATMA1TR
SP000396300
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.1 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 253μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 160nC @ 10V
Vgs（最大值） +5V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 11300pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 137W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
特征
?P通道-逻辑电平-增强模式
?符合AEC
?最高260°C峰值回流的MSL1
?175°C工作温度
?绿色包装（符合RoHS）
?经过100％雪崩测试
?用于电池反接保护
