型号：IRF3205STRLPBF 品牌:IR/INFINEON 封装：TO-263 供应商：深圳市廊宇达半导体有限公司 联系人：李先生15899869101 QQ：2934568953

型号参数：制造商Infineon Technologies系列HEXFET?包装带卷（TR）零件状态在售FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）55V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）8 毫欧 @ 62A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）146nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3247pF @ 25VFET 功能-功率耗散（最大值）200W（Tc）工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装D2PAK封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB