产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PQFN-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 99 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 3.4 ns
高度: 0.83 mm
长度: 6 mm
Pd-功率耗散: 3.6 W
上升时间: 4.7 ns
工厂包装数量: 4000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 7.2 ns
宽度: 5 mm
