优势库存料号:EMC1412-1-ACZL-TR
品牌:SMSC
封装:MSOP8
芯片类型:温度传感器 - 模拟和数字输出
现货库存数量:25000PCS
库存批次:15+
现货优势供应商:深圳市凌旭科技有限公司
联系人:张艳平(女士)
联系电话:0755-82797778 13692179527
联系地址:深圳市福田区华强北振兴西路华匀大厦二栋507室(高科德及深圳天虹附近)
传感器类型:数字,本地/远程
检测温度 - 本地:-40°C ~ 125°C
检测温度 - 远程:-64°C ~ 191°C
输出类型:SMBus
电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V
分辨率:11 b
特性:单触发,输出开关,可编程极限,待机模式
精度 - 最高(最低):±1°C(±2°C)
测试条件:-5°C ~ 100°C(-40°C ~ 125°C)
工作温度:-40°C ~ 125°C
绝对全新原装正品现货,假一赔十,一级代理分销,特价热线13692179527张小姐,欢迎致电查询库存及价格!同样的价格,不一样的品质,同样的品质,不一样的服务,凌旭科技期待与您合作,携手共赢!
接上篇:供货日俱吃紧价格水涨船高 今年的存储器市场发生了什么?
希捷联手SK海力士抢滩SSD?
相对于HDD硬盘需求的疲软,NAND闪存及SSD固态硬盘的发展就成了存储市场的当红明星。不论是在移动设备、个人电脑、或是数据中心等市场上都在快速成长。
眼下,SSD硬盘取代HDD已经是大势所趋,NAND闪存涨价是不可能阻挡的。HDD玩儿家现在只剩下西数、希捷及东芝等少数厂商,东芝本身就是NAND大厂,而西数收购闪迪之后也一跃成为重量级SSD公司,希捷出路何在?以希捷的实力,收购余下的NAND公司有些困难,前些天,有爆料称希捷准备与SK 海力士组建合资公司进军服务器、云数据SSD市场。
同样受惠于智能手机的eMMC/eMCP需求,及其他品牌新机上市的备货需求带动,使得第三季度SK海力士NAND Flash出货量增长12%,平均销售单价更是增长7%,营收也大幅增加20.3%,至10.61亿美元。
据悉,SK海力士3D-NAND Flash的产能在今年底前将达每月2~3万片,第三代3D-NAND Flash明年第一季可开始放量出货,第四代3D-NAND Flash有机会在明年下半年开始少量生产。
希捷自身并非没有SSD业务,实际上希捷在SSD领域布局还挺早,很多人都知道希捷收购了知名SSD主控厂商SandForce,8月份的时候希捷还宣布了全球容量最大的60TB SSD硬盘,但是希捷缺少关键的NAND供应,这方面只能依靠其他公司,要想做大做强,NAND供应问题必须解决。
西数收购闪迪之后,全球剩下的NAND豪门还有三星、美光、SK Hynix、东芝、Intel等,这些公司的SSD业务要么不可能出售,能出售也会是天价,希捷在HDD市场营收、份额都并不如西数,是否如西数那样有魄力收购一家大型NAND供应商还是个问题。
有关希捷准备与SK Hynix成立一家合资公司的事宜,现在还没有官方证实,细节也无从得知,不过这两家抱团的话也并不意外,现在服务器、云数据领域的领头羊是三星和Intel,SK Hynix和希捷合作的话刚好可以互补。
三星下半年投资破纪录
2016下半年,三星为强化竞争力,资本支出毫无保留,估计预算超过17兆韩元,较2013年同期所创史上最高纪录14.72兆韩元,还要高出一大截(15.5%)。三星上半年已砸了8.8兆韩元,这使其全年投资额突破26兆韩元,而3D NAND闪存则是其下半年重点投资项目。
据三星执行董事 Lee Myung-jin 表示,3D NAND 芯片与 OLED 面板需求都呈现爆发性增长,因此也是今年投资重点。三星希望通过大规模扩充产能,在上述领域扩大领先优势。
由于第三季度中国智能手机品牌对于高容量eMMC/UFS的需求强劲,让三星成为最大赢家。三星在高容量的eMMC/UFS与eMCP市占率在行业领先,企业级SSD产品更是凭借出色的性价比,增长强劲。第三季度,三星NAND Flash出货量增长约20%,营收增长约20%。
第四季度,智能手机的需求将带动高容量eMMC/UFS与eMCP的需求攀升至年度高点,再加上三星在用户级、企业级SSD的市占率增加,预估三星的表现将较第三季更出色。
东芝力推15nm闪存
而作为闪存的发明者,同时也是存储器另一大厂,东芝电子现有第二半导体厂已全力生产3D-NAND Flash,第四季度产能达每月4万片,等到2017年64层堆栈的3D-NAND Flash顺利量产后,产能提升速度将更快,而其第六半导体厂房新建计划,将从明年二月开始动工。
不久前,东芝正式推出了新一代eMMC 5.1、UFS 2.1闪存,使用的是15nm 工艺,这使其成为现今全球尺寸最小的闪存芯片。
新的UFS芯片基于东芝的15nm MLC NAND工艺,其容量从32GB到128GB几种规格。顺序读写速度分别为850MB/s和180MB/s,较旧型号提高了约40%和16%,而随机读取和写入性能分别提高了约120%和80%。
eMMC 5.1闪存速度比不上UFS,不过eMMC闪存是中低端手机的首选。东芝的eMMC 5.1闪存也是15nm工艺,不过官方没确认是MLC还是TLC的,估计后者的可能性更大,毕竟成本更低。
安卓阵营的厂商地位还是不如苹果,东芝现在对外提供的容量最多128GB,也没用3D NAND技术,而iPhone 256GB版使用的是东芝48层堆栈的3D NAND闪存。
值得一提的是,东芝不仅使用自家的闪存,主控也是自己开发的,而其还在开发自己的M-PHY 3.0物理层及UniPro 1.6。
接下篇: