RT8206AGQW深圳市凌旭科技有限公司

2016-12-16 14:49:00
  • 特价优势料号:RT8206AGQW 品牌:RICHTEK 封装:QFN32 Categories:集成电路(IC)PMIC - 稳压器 - 专用型 应用:控制器,笔记本电脑电源系统 电压 - 输入:6 V ~ 25 V 输出数:2 电压 - 输出:3.3V,5.5V,2 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 现货优势供应商:深圳市凌旭科技有限公司

特价优势料号:RT8206AGQW

品牌:RICHTEK

封装:QFN32

Categories:集成电路(IC)PMIC - 稳压器 - 专用型

应用:控制器,笔记本电脑电源系统

电压 - 输入:6 V ~ 25 V

输出数:2

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供货日俱吃紧价格水涨船高 今年的存储器市场发生了什么?

今年的存储器市场异常火爆,特别是进入下半年以后,无论是DRAM,还是NAND Flash闪存,供货吃紧程度与日俱增,价格也是水涨船高。

来自TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange的调查显示,受惠于智能手机需求强劲,及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少,今年第三季度NAND Flash开始涨价,使得NAND Flash原厂的季度营收增长19.6%,利益率也较上季大幅进步。

与此同时,今年第四季度主流容量PC-Client OEM SSD(固态硬盘)合约均价近一年来首度大涨,MLC-SSD涨幅达6~10%,TLC-SSD则上涨6~9%。由于非三星阵营的原厂仍处于3D-NAND Flash转换期,而且,龙头厂商持续以提升获利为主要策略,预计2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合约价仍将持续走高。

市场如此缺货,价格这么诱人,各大存储器厂家都在磨刀霍霍,准备大干一场。除了扩充产能之外,在工艺革新方面更是费劲心力,以求在竞争激烈,且钱景美好的2017年占据有利位置。

美光3D NAND产能超2D,64层堆栈蓄势待发

昨天,美光(Micron)传出消息,该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存,第一代3D NAND闪存的成本也符合预期,堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了,今年底将大规模量产。

目前,市场上很多SSD都转向了3D NAND闪存,不论是性能还是容量,或者是写入寿命,3D NAND闪存都要比传统2D NAND闪存好得多,厂商也会借此降低成本,提高产量。以美光为例,他们的2D NAND闪存主力是16nm工艺的,MLC/TLC闪存的核心容量不过128Gb,而3D NAND技术的MLC闪存核心容量就有256Gb,TLC更是达到384Gb,大大高于2D NAND闪存。

在转向3D NAND方面,实力最强的三星跑得最快,东芝/闪迪、SK Hynix次之,Intel和美光公司算是比较慢的了,不过一旦3D NAND闪存开始量产,由于容量先天性的优势,产能超过2D NAND闪存是迟早的事。美光CFO Ernie Maddock在参加巴克莱银行全球技术、媒体及通讯大会上就确认,该公司的3D NAND闪存产能与2D NAND闪存已经来到拐点上,也就是说3D闪存的产能(以bit容量计)要超过2D NAND闪存了。

Ernie Maddock还提到他们第一代3D NAND闪存在降低成本上已经达到预期目标,此前美光在今年上半年的路线图上指出3D NAND闪存比2D NAND降低至少20%的成本,现在已经实现了20-25%的成本降低。

对美光来说,好事还不止这一件,他们的第二代3D NAND闪存也要量产了,早前美光公布消息称第二代3D NAND今年夏季在新加坡的Fab 10X工厂开始生产,相比目前的32层堆栈,第二代3D NAND闪存堆栈层数提升到64层,容量进一步提高,成本也会进一步降低30%。

据统计,美光2016会计年度第四季(6~8月)出货量增长13%,平均销售单价下滑1%,非易失性内存营收增长10%,达到10亿美元,在产品营收比重上,移动式NAND闪存微幅上升至18%、SSD则占13%,车用及其他类别占约19%。

据悉,美光3D-NAND Flash在客户端得到了不错评价,其用户级SSD也已开始量产出货,而企业级SSD的季度出货量更是大幅增长了45%。

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