产品种类: IGBT 晶体管
制造商: ON Semiconductor
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.65 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
Pd-功率耗散: 223 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: ON Semiconductor
最小工作温度: - 55 C
系列: NGTB50N60FLWG
工厂包装数量: 30
单位重量: 6.500 g
