制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 200 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 235 nC
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 90 ns
正向跨导 - 最小值: 60 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 830 W
上升时间: 35 ns
系列: IXFK200N10
工厂包装数量: 25
商标名: Polar, HiPerFET
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 150 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 10 g
